在各國節能減碳政策及相關補助方案驅動下，促使全球電動車與再生能源市場蓬勃發展，帶動龐大的功率元件需求，不過常用的矽基功率元件難以應付超過600V以上的高電壓應用，勢必要尋找替代材料，其中最受矚目是碳化矽。目前已知的碳化矽晶體結構超過250種，都是由四個矽原子環繞一個碳原子所組成的四角錐體結構，然而因為堆疊順序差異構成不同的晶體結構，最常用有3C-SiC、4H-SiC及6H-SiC等三種，C表示最後組成是立方體結構，H是指最後組成是六角形結構，數字則是相同堆疊結構重複出現的週期，一般將4H-SiC與6H-SiC合稱為α-SiC，而3C-SiC稱為β-SiC，其中以α-SiC在半導體領域最常使用。