長成的碳化矽單晶晶碇隨後要進行切割製程。由於其具有硬度大且易脆裂的特性，使得晶錠的切割難度大且易磨損，因而對於設備穩定性的要求非常高，目前已發展出機械、雷射、離子佈植與放電等四種切割技術，其比較如表2所列，目前絕大多數碳化矽基板製造商是使用技術成熟的鑽石線切割技術，其他創新技術多半處於推廣或測試驗證階段。