十二月_ 2024展望｜以台積電看全球半導體2024年展望(下)
- 12/16奈米節點，於2013年底成功試產16奈米FinFET，之後又進一步在2015年量產16奈米FinFET強效版製程（16FF+），並自2017年起為其客戶開始生產汽車應用產品。而同為2017年進入生產的12奈米精簡型製程技術，在16奈米世代將晶體密度提升到極致。與20奈米系統單晶片製程比較之下， 12/16奈米速度快50% ，在相同速度下功耗降低60%。N 12/16節點，今年整年的產能約140K/WPM(UTR約70%)，預計在2023年底有許多車用產品，明年穩定小量成長，UTR也會增加。同時預計TV SoC, WiFi, Tcon, Flash controller等產品將會從N22/28nm移轉過來。
《成熟製程》
- 22/28奈米節點，22奈米超低功耗製程技術發展根基於28奈米製程，於2018年底完成所有製程驗證。與2011年推出的28奈米製程相較之下，晶片面積縮小10%、效能提升逾30%，可以滿足影像處理器、數位電視、機上盒、智慧型手機等需求。N22/28節點，比起其他成熟製程有更高的頻率、更好的功耗並且可以有更大的面積，因此近年持續吸引其他成熟節點進入N22/28。南京擴建開始加速，2023年產能增加至 210K/WPM(UTR~90%)。ISP、WiFi 在智慧型手機市場放緩，2023年第四季iPhone 15的成長將推動新的ISP和相關解決方案讓產能利用率回升。2024年的WiFi6在智慧手機晶片預計將會持續移出到N12/16nm，但個人電腦與平板相關晶片還是留在N22/28節點。另外，估計2024年通用MCU，包括智慧卡、WiFi等，將從40/55nm遷移到28nm；ISP、通用 WiFi、汽車 WiFi、電視 SoC、Tcon、消費者使用的收發器、TWS等，預計從28nm遷移到22nm。這些都會持續拉高本節點的產能利用率。
- 40/45奈米節點，2008年多家客戶以40奈米製程技術為量產晶片，與65奈米泛用型製程技術相較，在相同的漏電流水準下，40奈米泛用型製程技術的效能可增加40%；功耗減少50%。N40節點(45沒有明顯的量)，目前智慧手機的DDIC/RF訂單回填、Flash控制器、通用邏輯和汽車MCU增加，產能利用率2023年第四季會小幅增長至80~85%。由於終端產品的電視、PC、中低端智慧手機庫存量下降，趨於健康，因此2024年有機會推升明年的產能利用率。
- 其他12吋節點中，55奈米由於特殊產品(specialty products) 如HV, MCU, RF, ISP, general logics 等市場需求上升，2023第四季產能利用率接近85%，2024上半年將維持相同情況；90奈米由於部分產品(手機PMIC、RF等)從8吋移轉至12吋，因此在第四季產能利用率達90%，2024上半年將維持相同情況。
- 台積八吋其實也是反映整個八吋市場的現況，2023年第四季因為庫存回補等需求，產能利用率回到70%，但2024年的狀況仍需觀察。
《先進封裝》
台積電先進封裝包含CoWoS、InFO、3D IC(依據台積公布的量產時程排序)等，由於2023年的ChatGPT的出現，帶動AI伺服器與AI晶片的強勁需求。其中具指標性的nVIDIA H100和A100全部交由台積電代工，並使用台積電的CoWoS先進封裝技術。在此只討論CoWoS的狀況。除了nVIDIA外，AMD的MI300亦是使用CoWoS技術，在2023年底出貨且2024年持續增加出貨量。由於2023年全球AI伺服器缺貨，主要瓶頸就是在CoWoS，因此這個技術頓時成為大眾關心的焦點。目前看來2023年產能大約125K/WPY，而2024年有機會成長135%，且良率持續提升。2024年台積電CoWoS-L，可能採用玻璃作為帶有 RDL 的中介層，首次被 NVDA B100 採用。
總體來說，儘管面臨著全球經濟波動、先進設備出口管制、AI技術快速發展和產能在地化等多重變數的挑戰，台積電仍然在經濟不確定性中保持領先地位。雖然晶圓代工市場受到全球經濟波動等外部環境因素的影響，短期內仍面臨產值下修和產能利用率波動等挑戰，但隨著整體庫存趨於健康，先進製程需求增溫和市場回升，整體產能利用率的提升，本機構預計2024年台積電仍將呈現穩健成長，2024年的營收有望增長18%~24%達歷史新高。資本支出的部分，由於整體營收與獲利成長且新董事將上任等因素，我們相信2024年超過300億美元，甚至來到跟去年同樣水準的320億美元也不太意外。另外在日本的三奈米廠、預計在台灣擴充的CoWoS產能等，都會是市場關心焦點。台積電預計於2024年的1月18日召開法人說明會，為近4年首度恢復舉辦實體法說會。屆時將會有更明朗的說法。
以上數據來自於坊間報告整理與市場資訊彙整
