半導體產業日報
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Selected In-depth Analysis
台積電法說會即將登場，外資上調目標價，CoPoS 將於 2029 年後接棒成為下一世代封裝技術方向
Key Events
兩家美系外資券商在台積電法說會前夕同步調升獲利預估與目標價，主要理由包括 CoWoS 先進封裝產能持續擴張、N3/N2 先進製程需求強勁且 N2 放量速度優於預期。更重要的是，其中一家券商率先揭示 CoPoS（Chip on Panel Substrate，面板級先進封裝）將於 2029 年後接棒 CoWoS 與 SoIC，連同 Glass Core 基板技術，共同構成下一世代封裝技術演進主軸。
Key Data
台積電 N2 製程 2025 年下半年量產，初期月產能估 5 萬片，2026 年底估拉升至 10 萬片以上；CoWoS 月產能預計 2025 年底突破 8 萬片；CoPoS 面板級封裝面積可達傳統 CoWoS 基板的 4-6 倍，理論上可大幅降低單位封裝成本並支援更大 AI 晶片面積；Glass Core 基板導線間距可縮至 2μm 以下，較現行有機基板提升訊號完整性。
Market Importance
外資在法說會前搶先調升台積電目標價，核心邏輯已從「CoWoS 短缺紅利」升級為「N2 超預期放量 × CoPoS 長期技術卡位」的雙引擎敘事，顯示市場對台積電先進製程與封裝的定價框架正在重新錨定。CoPoS 的潛力在於以面板級大尺寸基板突破現有 CoWoS 尺寸天花板，若能如期於 2029 年後量產，將直接支援下一代更大 Die Size 的 AI 加速器需求，台積電有望繼續壟斷最尖端封裝平台。Glass Core 基板同步演進則意味著整個先進封裝材料供應鏈將面臨一次結構性重組，現有有機基板廠商面臨技術切換壓力。
⚠ Negative View
CoPoS 與 Glass Core 量產時程高度依賴材料成熟度與良率爬坡，2029 年的時間表仍屬分析師前瞻預測而非台積電官方承諾，若 AI 資本支出在 2027-2028 年出現週期性收縮，CoWoS 產能過剩壓力將先行浮現，CoPoS 的投資回報期可能大幅延後；此外 Intel 與三星亦在積極布局面板級封裝，技術差距未必如現在 CoWoS 般懸殊。
📍 Next observation.
- 台積電 2026 年 Q2 法說會（7 月中旬）是否正式揭露 CoPoS 量產路線圖與資本支出指引
- N2 製程客戶出貨量與良率數據是否符合「優於預期」的外資預測
- CoWoS 月產能是否如期於 2026 年底前突破 10 萬片，驗證先進封裝供需平衡時點
- Glass Core 基板供應商（Corning、AGC 等）樣品送樣與認證進度
- CoPoS 面板級封裝是否能在 2029 年前完成量產認證並取得 NVIDIA 次世代 GPU 訂單
- Intel 18A 與三星 SF2 先進製程若成功量產，是否動搖台積電在 AI 晶片封裝的獨占地位
❓ Frequently Asked Questions
CoPoS 和現在的 CoWoS 有什麼不同？為什麼 2029 年才會接棒？
CoPoS（Chip on Panel Substrate）採用更大面積的面板級基板，可容納比 CoWoS 更大的 AI 晶片或更多晶片堆疊，理論上可降低成本並突破現有封裝尺寸限制；2029 年才接棒是因為面板級封裝在翹曲控制、良率與材料標準上仍需數年成熟期。
外資這次調升台積電目標價，主要看好哪些具體因素？
兩家美系券商主要看好三點：CoWoS 先進封裝產能持續擴張帶動封裝收入、N2 製程放量速度優於市場預期搶佔 AI 晶片訂單，以及台積電上調資本支出代表管理層對未來需求具信心。
台積電法說會投資人最應該關注什麼？
本次法說會最關鍵的看點是台積電是否上修全年營收或資本支出指引、N2 良率與客戶導入進度，以及管理層是否正式提及 CoPoS 或 Glass Core 的技術時間表，這些將直接驗證外資調升目標價的邏輯是否成立。
Micron 在日本廣島破土動工，斥資 93 億美元擴建 HBM 生產廠
Key Events
Micron 宣布在日本廣島廠區破土動工，投入高達 93 億美元（約新台幣 3,000 億元）擴建 HBM（高頻寬記憶體）專用生產線，這是 Micron 迄今最大單筆海外製造投資，目標是大幅提升 HBM3E 及次世代 HBM4 的產能，以搶攻 AI 伺服器記憶體市場。此舉也反映日本政府透過補貼吸引先進半導體產能回流的戰略奏效，廣島廠將成為 Micron 全球 HBM 的核心生產基地之一。
Key Data
投資金額 93 億美元（約新台幣 3,000 億元）；HBM 全球市場規模預估 2025 年達 350 億美元，2027 年將突破 700 億美元；目前 SK Hynix 佔 HBM 市場約 50%、三星約 35%、Micron 約 15%，Micron 此舉意在將市佔率拉升至 25% 以上；日本政府對 Micron 廣島廠的補貼金額估逾 20 億美元；HBM4 單顆容量預計達 48GB，頻寬超過 2TB/s。
Market Importance
Micron 以 93 億美元豪賭廣島 HBM 擴產，是全球 AI 記憶體軍備競賽白熱化的里程碑，也是迄今規模最大的單一 HBM 製造投資案，直接宣示 Micron 不甘長期扮演 SK Hynix 與三星的追隨者角色。日本政府的高額補貼顯示 HBM 已被主要國家視為戰略性半導體物資，地緣政治正在加速 HBM 供應鏈的地理分散化。對台灣供應鏈而言，HBM 測試需求（京元電等）及 CoWoS 整合封裝訂單將隨 Micron 產能擴張同步受惠，但競爭激烈化也將壓縮長期 HBM 超額利潤空間。
⚠ Negative View
93 億美元的廣島廠從動工到量產 HBM4 至少需要 3-4 年，屆時 SK Hynix 與三星亦完成新一輪擴產，全球 HBM 供需可能從現在的供不應求轉為相對過剩，Micron 的市佔率能否如願提升至 25% 以上仍是未知數；且 HBM 製程良率爬坡技術難度極高，Micron 歷史上曾多次在先進 DRAM 技術推進上落後對手。
📍 Next observation.
- Micron FY2026 Q3 財報（8 月）是否揭露 HBM4 樣品送樣進度與客戶認證時程
- NVIDIA GB300/B300 系列對 Micron HBM3E 的採購份額是否如預期提升
- 廣島廠 HBM 生產線預計 2027-2028 年投產，良率爬坡速度是驗證 Micron 競爭力的關鍵指標
- SK Hynix HBM4 與三星 HBM4E 量產進度是否壓縮 Micron 的市場追趕空間
- HBM 是否在 2028 年後因供給大幅增加而進入價格下行周期，影響各廠資本支出回報
- 日本是否進一步吸引其他記憶體廠商（三星、SK Hynix）在當地設廠，形成新的 HBM 產業聚落
❓ Frequently Asked Questions
Micron 為什麼選擇在日本廣島而不是美國擴建 HBM 工廠？
廣島廠是 Micron 既有的 DRAM 生產基地，擴建可沿用現有基礎設施與熟練人力，加上日本政府提供逾 20 億美元補貼，綜合成本優於在美國全新建廠，且日本在半導體材料與設備供應鏈上具備完整生態系。
這次投資完成後，Micron 能追上 SK Hynix 在 HBM 的領先地位嗎？
廣島廠預計 2027-2028 年才能量產，SK Hynix 屆時已推進至 HBM4E 甚至更高世代，Micron 市佔率有望從約 15% 提升至 25%，但要超越 SK Hynix 的技術與市佔領先優勢，在本輪投資週期內難度極高。
Micron 擴產 HBM 對台灣半導體業有什麼影響？
Micron HBM 產能增加後，需整合進 NVIDIA 等 AI 晶片的封裝流程，台積電 CoWoS 先進封裝與京元電等測試廠的訂單需求將同步成長，台灣在 HBM 整合封裝與測試環節將持續受益。
