半導體產業日報
共收錄 29 則產業相關新聞 · 3 則精選深度分析
精選深度分析
AMD 啟動新一波記憶體掃貨 力成、群聯受惠
關鍵事件
AMD 執行長蘇姿丰宣布加碼投資台灣，同時示警 HBM 與 PC 記憶體供應吃緊，並與供應商共同規劃確保 AI 伺服器與 CPU 平台所需記憶體數量。台灣合作夥伴力成科技聚焦 2.5D 面板級 EFB 互連技術及扇出型面板級封裝（FOPLP），預計 2027 年中量產；群聯則透過 PS5963 橋接晶片與 aiDAPTIV+ 方案切入 AI 工作站本地記憶體擴充商機。此波掃貨行動涵蓋 HBM4 高頻寬記憶體、PCIe/UFS 儲存架構，顯示 AMD 正全面強化從資料中心到終端 PC 的記憶體生態系布局。
關鍵數據
AMD Helios 機架參考設計整合 72 顆 Instinct MI455X GPU，每顆最高搭載 432GB HBM4，整櫃最高提供約 31TB HBM4 記憶體；力成竹科 P11 先進封裝廠投入金額約 500 億元新台幣，FOPLP 預計 2027 年中量產；全球 HBM 市場 2025 年規模預估超過 200 億美元，年增率逾 100%；AMD MI300X 系列 2024 年 AI 加速器營收已突破 50 億美元。
市場重要性
AMD 主動示警記憶體供應吃緊，並深度綁定台灣封裝與控制器廠商，標誌著 AI 記憶體供應鏈的台灣化程度正在加速提升。力成 P11 廠若順利於 2027 年量產 FOPLP，將成為台積電以外極少數具備大型 AI 晶片一站式先進封裝能力的業者，直接挑戰台積電 CoWoS 的市場地位。群聯切入 aiDAPTIV+ 本地端 AI 記憶體擴充方案，代表終端 AI PC 的記憶體瓶頸正形成新的商機賽道，儲存控制器廠商的價值重估值得關注。多家媒體同步報導此消息，顯示市場對 AMD 台灣供應鏈布局的高度重視。
⚠ 反面觀點
力成 FOPLP 量產時程定於 2027 年中，距今仍有近兩年，技術驗證與良率爬坡風險不容低估，且台積電 CoWoS/CoPoS 同步擴產下，力成能否搶到足夠份額仍存變數；AMD 在 AI 加速器市場對 NVIDIA 的份額追趕進度若不如預期，對台灣供應鏈的拉貨力道也將同步縮水。
📍 接下來觀察
- AMD 第三季財報（2025 年 10 月底）揭露 MI300/MI400 系列出貨量與 HBM 採購規模
- 力成 P11 廠建廠進度與超微 FOPLP 訂單簽約確認消息
- HBM4 供需是否持續緊繃，SK Hynix、Micron 量產進度對 AMD 拉貨彈性的影響
- 群聯 aiDAPTIV+ 方案在 AI PC 市場的滲透率與聯發科、高通同類方案的競爭態勢
- FOPLP 是否成為次世代先進封裝主流標準，並形成台積電 CoWoS 之外的第二供應鏈生態
- AI 記憶體架構從 HBM4 演進至 HBM4E 乃至 NDP（近資料處理）的技術路線對封裝廠商定位的結構性影響
❓ 常見問題
力成的 FOPLP 技術和台積電 CoWoS 有什麼不同？
CoWoS 採用矽中介層（interposer）連接晶片，技術成熟但成本較高；力成 FOPLP 採用扇出型面板級封裝，以較低成本實現高頻寬互連，目標是在 2027 年提供台積電以外的先進封裝選項，但目前仍在驗證階段，良率與量產規模尚待確認。
群聯的 aiDAPTIV+ 是什麼，為什麼 AMD 要和它合作？
aiDAPTIV+ 是群聯開發的方案，能讓 AI PC 突破實體記憶體容量限制，將外接儲存裝置當作擴充記憶體使用；AMD Ryzen AI Max 300 平台搭配此方案，可在本地端執行更大型的 AI 模型，對無法負擔高規格記憶體的消費者市場具有實際意義。
AMD 說的記憶體供應吃緊，台灣投資人要怎麼解讀？
供應吃緊意味著 HBM 及一般 DRAM 需求仍強勁超過供給，短期對力成（封裝）、南亞科（DRAM）等台廠有拉貨利多；但吃緊也可能限制 AMD AI 伺服器出貨速度，若供應瓶頸遲遲未解，反而可能壓抑 AMD 整體營收成長速度。
聯電報喜：9 月營收創歷史新高，連續七個月成長，成熟製程市況火熱
關鍵事件
聯電公告 2025 年 9 月合併營收 253.5 億元新台幣，創單月歷史新高，月增 1.2%、年增 27.2%，並連續七個月繳出成長佳績；第三季單季營收 742.39 億元為近四年單季高點，前三季累計 2,040 億元為近四年同期新高。成長動能來自 AI 驅動的電源管理 IC、感測器、微控制器需求，以及三星 LSI 縮減 8 吋產能帶動的轉單效應，法人預估年底 12 吋產能利用率可達 93%、8 吋達 90%。
關鍵數據
9 月合併營收 253.5 億元（月增 1.2%、年增 27.2%）；第三季合併營收 742.39 億元（季增 8%、年增 25.5%）；前三季合併營收 2,040 億元（年增 16%）；法人預估年底 12 吋產能利用率 93%、8 吋產能利用率 90%，2027 年下半年 8 吋滿載；Sony 感測器需求潛在規模逾每月 1 萬片；聯電成熟製程（22/28nm、55/65nm）為主力製程節點。
市場重要性
聯電 9 月營收創歷史新高，確認成熟製程需求已從 2023-2024 年的庫存調整低谷中完全復甦，且需求結構已從消費性電子轉向電源管理 IC 與感測器等高附加價值應用。三星 LSI 主動縮減 8 吋產能，等同將訂單拱手讓給聯電，此一競爭格局改變是本次成長的重要結構性因素，而非單純景氣復甦。外資聚焦 2028 年後 12nm FinFET 與光通訊解決方案帶來的下一階段成長，顯示市場對聯電的估值邏輯正從「成熟製程復甦」升級為「差異化特殊製程平台」。
⚠ 反面觀點
聯電成長高度依賴三星 LSI 讓單的「被動受惠」邏輯，一旦三星調整策略重回 8 吋市場，或中國成熟製程產能（中芯、華虹）持續擴張壓縮報價空間，聯電的產能利用率與漲價能力將同步承壓；且 12nm FinFET 量產時程與客戶導入進度仍存不確定性，2028 年的成長故事尚早樂觀。
📍 接下來觀察
- 聯電第三季法說會（2025 年 10 月底）揭露第四季產能利用率指引與客戶訂單能見度
- 三星 LSI 8 吋產能縮減幅度是否持續擴大，轉單規模能否超市場預期
- Sony 感測器 22/28nm 每月逾萬片需求的正式簽約與量產時程確認
- 聯電 22/28nm 漲價落實情況及毛利率能否突破 30% 的關鍵門檻
- 12nm FinFET 製程客戶導入進展，以及是否能與台積電 N16/N12 形成差異化競爭
- 中國成熟製程廠商（中芯、華虹）28nm 以上產能持續擴張對全球供需結構的長期影響
❓ 常見問題
聯電的成長跟 AI 有什麼關係？它不是做成熟製程的嗎？
聯電雖不做先進製程 AI 晶片，但 AI 資料中心帶動電源管理 IC（PMIC）需求暴增，這類晶片主要以 8 吋或 12 吋成熟製程生產，正是聯電的強項；此外 AI PC 與 AI 手機拉動感測器、微控制器需求，同樣受惠聯電產能。
三星縮減 8 吋產能，對聯電有多大好處？
三星 LSI 縮減 8 吋產能後，電源管理 IC 等訂單出現轉移，直接流向聯電等競爭對手，等同讓聯電無需額外投資即可提高產能利用率；法人預估此因素可支撐聯電 8 吋產能利用率年底達 90%，2027 年下半年達到滿載水位。
聯電說 2028 年會進入下一階段成長，是指什麼？
聯電預計 2028 年起導入 12 奈米 FinFET 製程及光通訊完整解決方案，前者可承接更高規格的 AI 邊緣運算晶片，後者瞄準資料中心光互連需求，這兩條路線將讓聯電從純成熟製程代工升級為差異化特殊製程平台，潛在客單價與毛利率均有提升空間。
南亞科 DRAM 合約價再漲，漲幅達 20%，粉碎紅色供應鏈擴產壓抑報價的魔咒
關鍵事件
南亞科近期通知客戶將再次調高 DRAM 合約價，漲幅上看 20%，打破市場對長鑫存儲等中國廠商擴產將壓抑報價的預期。TrendForce 指出第四季 DRAM 市場仍供不應求，一般型 DRAM 合約價預估季增 10%-15%，消費型 DRAM 因大廠減產方向未變、供應高度仰賴台廠，價格持續上揚。南亞科 9 月合併營收 450.91 億元，連續 11 個月創單月歷史新高，較去年同期大增 576.62%，並計畫進駐屏東科學園區設立 3D 晶圓封裝測試廠。
關鍵數據
DRAM 合約價漲幅上看 20%；TrendForce 預估第四季一般型 DRAM 合約價季增 10%-15%；南亞科 9 月合併營收 450.91 億元（年增 576.62%）；第三季合併營收 1,336.49 億元（季增 61.9%、年增 611.7%）；前三季合併營收 2,652.85 億元（年增 626.95%）；9 月營收已達元月業績近三倍；屏東科學園區 3D 晶圓封裝測試廠導入矽穿孔（TSV）與晶圓堆疊技術。
市場重要性
南亞科 DRAM 合約價再漲 20%，直接否定「紅色供應鏈擴產將打壓記憶體報價」的市場悲觀情境，顯示當前 DRAM 需求強度已超過長鑫存儲新增產能的邊際影響力。這一訊號的深層含義在於：AI 伺服器對高規格 DRAM 的需求增量，已讓主流廠商將先進產能優先配置給 HBM 與伺服器 DRAM，導致傳統 DRAM 市場反而出現結構性短缺，讓南亞科等專注傳統 DRAM 的廠商坐收漁翁之利。南亞科布局屏東 3D 封裝廠（TSV、晶圓堆疊），更顯示其有意逐步切入 HBM 相關封裝技術，為下一個成長週期預做準備，是台灣記憶體產業升級的重要觀察指標。
⚠ 反面觀點
南亞科本輪漲價高度依賴主流大廠（SK Hynix、Micron）將產能集中於 HBM 所造成的傳統 DRAM 真空地帶，一旦 AI 資本支出放緩導致 HBM 需求下滑、大廠將產能回撥傳統 DRAM，或長鑫存儲技術良率快速提升跨越規格門檻，南亞科的漲價空間將迅速收窄，且其毛利率基期已大幅拉升，後續任何需求逆轉的跌價幅度將更為劇烈。
📍 接下來觀察
- 南亞科第三季法說會揭露第四季合約價調漲落實情況與客戶接受度
- TrendForce 第四季 DRAM 現貨價與合約價走勢是否持續上揚驗證漲價動能
- 長鑫存儲 DDR5 產品良率提升進度，及其能否打入國際品牌伺服器供應鏈
- 南亞科屏東 3D 封裝廠建廠時程與 TSV/HBM 相關技術驗證里程碑
- 全球 DRAM 市場是否形成 SK Hynix/Micron 主攻 HBM、三星與台廠主供傳統 DRAM 的結構性分工格局
- 中國政府對長鑫存儲的補貼力度與技術獲取管道，決定紅色供應鏈能否在 3-5 年內實質改變 DRAM 供需均衡
❓ 常見問題
大家都說中國長鑫存儲在擴產，為什麼 DRAM 還在漲價？
因為 AI 伺服器對 HBM 的龐大需求，讓 SK Hynix、Micron、三星將先進產能優先轉向 HBM 生產，傳統 DRAM 供給反而減少；長鑫存儲新增產能在規格與良率上尚未能完全替代主流廠商，因此市場仍出現供不應求局面，南亞科得以持續漲價。
南亞科的營收暴增超過五倍，這樣的成長能持續嗎？
南亞科今年前三季營收年增逾 626% 主要是去年基期極低所致；只要 DRAM 合約價維持漲勢、產能利用率維持高檔，高成長態勢短期可延續，但一旦景氣反轉或漲價幅度收斂，年增率將大幅回落，投資人需留意週期性風險。
南亞科要在屏東做 3D 封裝，這對它的未來有什麼意義？
南亞科導入矽穿孔（TSV）與晶圓堆疊技術，是切入 HBM 相關封裝能力的關鍵佈局；若技術驗證成功，未來有機會從純 DRAM 晶片供應商升級為提供堆疊記憶體解決方案的廠商，提升產品附加價值並降低對單一 DRAM 週期的依賴。
